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研究论文
NaI(Tl)
探测器测量空气吸收剂量率方法研究
王雪建
1
於国兵
2
郭建友
1,*
许丰
3,**
[ ... ]
庞杨
3,4
作者单位
摘要
1
安徽大学物理与光电工程学院合肥 230601
2
安徽省辐射环境监督站合肥 230071
3
哈尔滨工程大学核科学技术学院哈尔滨 150001
4
黑龙江省原子能研究院哈尔滨 150081
本文基于
Φ
7.5 cm×7.5 cm NaI(Tl)探测器,开展测量γ射线空气吸收剂量率方法的研究。使用蒙特卡罗方法对NaI(Tl)探测器进行仿真模拟,获取探测器50 keV~2.5 MeV能量范围的γ射线能谱图。利用
G
(
E
)函数对放射源空气吸收剂量率进行计算,求解
G
(
E
)函数时考虑
K
max
与优化因子
M
对其计算空气吸收剂量率产生的影响,对
G
(
E
)函数的求解进行优化以提高计算精度。经过优化的
G
(
E
)函数计算的空气吸收剂量率与理论标准值相对偏差
S
低于±1%。最后经过实验测量对比发现,
G
(
E
)函数空气吸收剂量率计算结果与剂量率仪测量结果相对偏差小于±10%,说明经过优化得到的NaI(Tl)探测器
G
(
E
)函数值可以用于空气吸收剂量率的测量应用。
NaI(Tl)探测器
G
(
E
)函数
空气吸收剂量率
NaI(Tl) detector
G
(
E
) function
Air absorbed dose rate
PDF全文
Full Text
辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(5): 050701
Plasmonics and Metamaterials
Silica nanocone array as a template for fabricating a plasmon induced hot electron photodetector
Download:577次
Zhiqiang Yang
1
Kang Du
1
Fanfan Lu
1
Yang Pang
1
[ ... ]
Ting Mei
1,*
Author Affiliations
Abstract
1
Key Laboratory of Space Applied Physics and Chemistry, Ministry of Education, and Shaanxi Key Laboratory of Optical Information Technology, School of Science, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China
2
Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore 117583, Singapore
3
LEES Program, Singapore-MIT Alliance for Research & Technology (SMART), Singapore 138602, Singapore
Plasmon induced hot electrons have attracted a great deal of interest as a novel route for photodetection and light-energy harvesting. Herein, we report a hot electron photodetector in which a large array of nanocones deposited sequentially with aluminum, titanium dioxide, and gold films can be integrated functionally with nanophotonics and microelectronics. The device exhibits a strong photoelectric response at around 620 nm with a responsivity of 180 μA/W under short-circuit conditions with a significant increase under 1 V reverse bias to 360 μA/W. The increase in responsivity and a red shift in the peak value with increasing bias voltage indicate that the bias causes an increase in the hot electron tunneling effect. Our approach will be advantageous for the implementation of the proposed architecture on a vast variety of integrated optoelectronic devices.
PDF全文
Full Text
Photonics Research
2019, 7(3): 03000294
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